STB75NF75LT4 与 IRF1407STRLPBF 区别
| 型号 | STB75NF75LT4 | IRF1407STRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STB75NF75LT4 | A-IRF1407STRLPBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | Single N-Channel 75 V 0.0078 Ohm 250 nC 3.8 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 3.8W(Ta),200W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | - | 75V |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3 | TO-263 |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 100A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 250nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 导通电阻Rds(On) | - | 7.8mΩ@78A,10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5600pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 250nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STB75NF75LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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IRF1407STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7.8mΩ@78A,10V N-Channel 75V 100A TO-263 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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PSMN012-80BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 11mΩ@10V 148W 175°C 3V 80V 74A |
￥9.6652
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0 | 对比 | ||||
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BUK9606-75B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 6.6mΩ@4.5V,5.5mΩ@10V,6.1mΩ@5V 300W 175°C 1.5V 75V 75A |
￥21.9934
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0 | 对比 | ||||
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IRF3808STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@82A,10V N-Channel 75V 106A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRFS3607TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) D2PAK 75V 80A 7.34mΩ 20V 140W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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