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STB55NF06T4  与  IPB090N06N3GATMA1  区别

型号 STB55NF06T4 IPB090N06N3GATMA1
唯样编号 A-STB55NF06T4 A-IPB090N06N3GATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 30V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-263-3 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 34uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 9 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB55NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IRL3705NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@46A,10V N-Channel 55V 89A D2PAK

暂无价格 800 对比
NTB60N06T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

D²PAK

暂无价格 564 对比
PSMN015-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN015-60BS_SOT404 N-Channel 86W 175℃ 3V 60V 50A

¥5.2387 

阶梯数 价格
210: ¥5.2387
400: ¥4.4396
800: ¥4.073
0 对比
IPB090N06N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB090N06N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRFZ44ESPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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