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STB36NM60ND  与  IPB60R099P7  区别

型号 STB36NM60ND IPB60R099P7
唯样编号 A-STB36NM60ND A-IPB60R099P7
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Ptot max - 117.0 W
Rds On(Max)@Id,Vgs - 99mΩ
漏源极电压Vds - 600V
Ciss - 1952.0 pF
Rth - 1.07 K/W
RthJA max - 62.0 K/W
Coss - 33.0 pF
栅极电压Vgs - 3V,4V
FET类型 - N-Channel
Qgd - 14.0 nC
Pin Count - 3.0 Pins
封装/外壳 D2PAK D2PAK (TO-263)
Mounting - SMT
连续漏极电流Id - 100A
工作温度 - -55°C~150°C
QG - 45.0 nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB36NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB34NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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STB34NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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IPB60R099P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK (TO-263) N-Channel 3V,4V 600V 100A 99mΩ -55°C~150°C

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AOB42S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 600V 30V 37A 417W 109mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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