STB30NF10T4 与 IRL540NSTRLPBF 区别
| 型号 | STB30NF10T4 | IRL540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STB30NF10T4 | A-IRL540NSTRLPBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 3.8W(Ta),140W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| 栅极电压Vgs | - | ±16V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 36A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 74nC @ 5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1800pF @ 25V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 44mΩ@18A,10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 74nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STB30NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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BUK9640-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 40mΩ@5V,39mΩ@10V,43mΩ@4.5V 158W 175°C 1.5V 100V 39A |
￥9.4287
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0 | 对比 | ||||
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IRL540NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.8W(Ta),140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 44mΩ@18A,10V N-Channel 100V 36A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRF1310NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 36mΩ@22A,10V N-Channel 100V 42A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AOB416 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V 25V 45A 150W 36mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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PHB27NQ10T,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 50mΩ@10V 107W 175°C 3V 100V 28A |
￥7.9214
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0 | 对比 |
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