STB30N65M5 与 IPB65R110CFD 区别
| 型号 | STB30N65M5 | IPB65R110CFD |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STB30N65M5 | A-IPB65R110CFD |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TO-263-3 | TO-263-3 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | - | 31.2A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 110mΩ@12.7A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 650V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 277.8W |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STB30N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IPB65R110CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263-3 N-Channel 277.8W 110mΩ@12.7A,10V -55°C~150°C ±20V 650V 31.2A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOB42S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 600V 30V 37A 417W 109mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHB24N65E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
24A(Tc) N-Channel 145 mOhms @ 12A,10V 250W TO-263AB -55°C~150°C 650V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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