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STB28NM60ND  与  AOB20S60L  区别

型号 STB28NM60ND AOB20S60L
唯样编号 A-STB28NM60ND A-AOB20S60L
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 199mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 266W
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 D2PAK TO263
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 20A
系列 - AOB
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1038pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 19.8nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB28NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥37.5439 

阶梯数 价格
4: ¥37.5439
10: ¥19.5577
50: ¥15.7727
100: ¥15.0157
500: ¥14.4503
1,000: ¥14.0766
1,120 对比
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥35.2095 

阶梯数 价格
1: ¥35.2095
100: ¥20.3511
1,000: ¥12.9026
100 对比
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 100 对比
AOB20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO263 266W

暂无价格 0 对比
IPB65R150CFDA Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R150CFDAATMA1_150mΩ 650V 22.4A D2PAK (TO-263) N-Channel 3.5V,4.5V

暂无价格 0 对比

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