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STB28NM50N  与  AOB29S50L  区别

型号 STB28NM50N AOB29S50L
唯样编号 A-STB28NM50N A-AOB29S50L
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-263-3 TO-263(D?Pak)
连续漏极电流Id - 29A(Tc)
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 150 mΩ @ 14.5A,10V
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 357W(Tc)
栅极电荷Qg - 26.6nC @ 10V
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB28NM50N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IPB50R140CPATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB50R140CP_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPB21N50C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB21N50C3ATMA1_-55°C~150°C(TJ) 500V 21A 190mΩ 20V 208W N-Channel

暂无价格 0 对比
IPB50R140CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB50R140CPATMA1_500V 23A 130mΩ 20V 192W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AOB29S50L AOS  数据手册 功率MOSFET

29A(Tc) N-Channel ±30V 150 mΩ @ 14.5A,10V TO-263(D?Pak) 357W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 500V

暂无价格 0 对比
SPB21N50C3ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB21N50C3_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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