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STB28N60M2  与  R6020KNJTL  区别

型号 STB28N60M2 R6020KNJTL
唯样编号 A-STB28N60M2 A3x-R6020KNJTL
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 22 A 0.15 Ohm Surface Mount MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 196mΩ@9.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 231W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
连续漏极电流Id - 20A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1550pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 40nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
1,000+ :  ¥6.4022
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB28N60M2 STMicro  数据手册 MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
R6020KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 231W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 1,025 对比
R6020KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 231W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 19 对比
IPB65R110CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R110CFDATMA1_TO-263-3 N-Channel 277.8W 110mΩ@12.7A,10V -55℃~150℃ ±20V 650V 31.2A

暂无价格 0 对比
R6020KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 231W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥6.4022 

阶梯数 价格
1,000: ¥6.4022
0 对比
IPB65R190CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R190CFDATMA1_650V 17.5A 171mΩ 20V 151W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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