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STB28N60M2  与  IPB65R190CFD  区别

型号 STB28N60M2 IPB65R190CFD
唯样编号 A-STB28N60M2 A-IPB65R190CFD
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 22 A 0.15 Ohm Surface Mount MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 171mΩ
上升时间 - 8.4ns
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 151W
Qg-栅极电荷 - 68nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 53.2ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 D2PAK -
连续漏极电流Id - 17.5A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCFD2
长度 - 10mm
下降时间 - 6.4ns
典型接通延迟时间 - 12ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB28N60M2 STMicro  数据手册 MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
R6020KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 231W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 1,025 对比
R6020KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 231W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 19 对比
IPB65R110CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R110CFDATMA1_TO-263-3 N-Channel 277.8W 110mΩ@12.7A,10V -55℃~150℃ ±20V 650V 31.2A

暂无价格 0 对比
R6020KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 231W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥6.4022 

阶梯数 价格
1,000: ¥6.4022
0 对比
IPB65R190CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R190CFDATMA1_650V 17.5A 171mΩ 20V 151W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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