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STB20N65M5  与  IPB65R190CFD  区别

型号 STB20N65M5 IPB65R190CFD
唯样编号 A-STB20N65M5 A-IPB65R190CFD
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 171mΩ
上升时间 - 8.4ns
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 151W
Qg-栅极电荷 - 68nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 53.2ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 -
连续漏极电流Id - 17.5A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCFD2
长度 - 10mm
下降时间 - 6.4ns
典型接通延迟时间 - 12ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB20N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IPB65R190CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R190CFDATMA1_650V 17.5A 171mΩ 20V 151W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPB65R150CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R150CFDATMA1_650V 22.4A 135mΩ 20V 195.3W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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