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STB17N80K5  与  SPB11N60C3  区别

型号 STB17N80K5 SPB11N60C3
唯样编号 A-STB17N80K5 A-SPB11N60C3
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 380mΩ
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 125W
Qg-栅极电荷 - 45nC
栅极电压Vgs - 2.1V
正向跨导 - 最小值 - 8.3S
典型关闭延迟时间 - 44ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 -
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC3
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 10ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB17N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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