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STB160N75F3  与  IRF2907ZSPBF  区别

型号 STB160N75F3 IRF2907ZSPBF
唯样编号 A-STB160N75F3 A-IRF2907ZSPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Single N-Channel 75 V 300 W 180 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.5mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds - 75V
Pd-功率耗散(Max) - 300W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 170A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7500pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 270nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7500pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 270nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IRFS3306TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK 10mm

¥10.549 

阶梯数 价格
5: ¥10.549
100: ¥8.932
355 对比
BUK9606-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9606-75B_SOT404

¥15.0639 

阶梯数 价格
210: ¥15.0639
400: ¥12.766
800: ¥11.7119
0 对比
IRF2907ZSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB035N08N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB035N08N3GATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
IPB100N06S2-05 Infineon 通用MOSFET

IPB100N06S205ATMA4_PG-TO263-3-2

暂无价格 0 对比

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