首页 > 商品目录 > > > > STB13NM60N代替型号比较

STB13NM60N  与  IPB60R385CP  区别

型号 STB13NM60N IPB60R385CP
唯样编号 A-STB13NM60N A-IPB60R385CP
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 385mΩ
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 83W
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 -
连续漏极电流Id - 9A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCP
长度 - 10mm
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 10ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB13NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IPB65R310CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R310CFDATMA1_10mm

暂无价格 1,000 对比
SPB11N60C3ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB11N60C3_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB60R385CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R385CPATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
IPB60R299CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R299CPATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
IPB60R380C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R380C6_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售