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STB11NM80T4  与  SPB17N80C3  区别

型号 STB11NM80T4 SPB17N80C3
唯样编号 A-STB11NM80T4 A33-SPB17N80C3
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 290mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 227W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 TO-263
工作温度 - -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 17A
系列 - CoolMOS™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2300pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 177nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
4+ :  ¥39.8916
10+ :  ¥33.4522
50+ :  ¥29.5905
100+ :  ¥26.3516
500+ :  ¥26.3229
1,000+ :  ¥26.2558
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB11NM80T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
SPB17N80C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB17N80C3ATMA1_TO-263

¥39.8916 

阶梯数 价格
4: ¥39.8916
10: ¥33.4522
50: ¥29.5905
100: ¥26.3516
500: ¥26.3229
1,000: ¥26.2558
3,000 对比
SPB17N80C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB17N80C3ATMA1_TO-263

暂无价格 1,000 对比
SPB17N80C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB17N80C3ATMA1_TO-263

¥10.78 

阶梯数 价格
5: ¥10.78
48 对比
STB13NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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STB13NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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