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SSM6K516NU  与  RF4E070BNTR  区别

型号 SSM6K516NU RF4E070BNTR
唯样编号 A-SSM6K516NU A3x-RF4E070BNTR
制造商 Toshiba ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 30V, 7A, 28.6 MOHM, PQFN 2X2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 28.6mΩ@7A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2W(Ta)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 UDFN6B HUML2020L8
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 7A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 410pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.9nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 12,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SSM6K516NU Toshiba  数据手册 功率MOSFET

UDFN6B

暂无价格 0 当前型号
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A

暂无价格 12,000 对比
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A

¥2.2519 

阶梯数 价格
70: ¥2.2519
100: ¥1.6866
300: ¥1.3033
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1787
3,000 对比
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.4819 

阶梯数 价格
70: ¥2.4819
100: ¥1.9165
300: ¥1.5332
500: ¥1.4566
1,000: ¥1.3991
2,647 对比
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.7023 

阶梯数 价格
60: ¥2.7023
100: ¥2.1369
300: ¥1.7632
500: ¥1.6866
1,000: ¥1.6291
2,490 对比
RF4E070GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 21.4mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML N-Channel 30V 7A

¥2.4052 

阶梯数 价格
70: ¥2.4052
100: ¥1.8399
300: ¥1.4566
500: ¥1.3799
1,000: ¥1.3224
2,040 对比

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