首页 > 商品目录 > > > > SSM6K516NU代替型号比较

SSM6K516NU  与  RF4E080GNTR  区别

型号 SSM6K516NU RF4E080GNTR
唯样编号 A-SSM6K516NU A33-RF4E080GNTR-0
制造商 Toshiba ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 17.6mΩ
上升时间 - 3.6ns
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
Qg-栅极电荷 - 5.8nC
栅极电压Vgs - 2.5V
典型关闭延迟时间 - 17.3ns
正向跨导 - 最小值 - 5S
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 UDFN6B DFN2020-8
连续漏极电流Id - 8A
工作温度 - -55°C~150°C
系列 - RF4E080GN
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
下降时间 - 2.4ns
典型接通延迟时间 - 6.9ns
库存与单价
库存 0 2,647
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥2.4819
100+ :  ¥1.9165
300+ :  ¥1.5332
500+ :  ¥1.4566
1,000+ :  ¥1.3991
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SSM6K516NU Toshiba  数据手册 功率MOSFET

UDFN6B

暂无价格 0 当前型号
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A

暂无价格 12,000 对比
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A

¥2.2519 

阶梯数 价格
70: ¥2.2519
100: ¥1.6866
300: ¥1.3033
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1787
3,000 对比
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.4819 

阶梯数 价格
70: ¥2.4819
100: ¥1.9165
300: ¥1.5332
500: ¥1.4566
1,000: ¥1.3991
2,647 对比
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.7023 

阶梯数 价格
60: ¥2.7023
100: ¥2.1369
300: ¥1.7632
500: ¥1.6866
1,000: ¥1.6291
2,490 对比
RF4E070GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 21.4mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML N-Channel 30V 7A

¥2.4052 

阶梯数 价格
70: ¥2.4052
100: ¥1.8399
300: ¥1.4566
500: ¥1.3799
1,000: ¥1.3224
2,040 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售