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SSM6K513NU  与  RF4E110GNTR  区别

型号 SSM6K513NU RF4E110GNTR
唯样编号 A-SSM6K513NU A33-RF4E110GNTR
制造商 Toshiba ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 11.3mΩ@11A,10V
上升时间 - 5.5ns
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
Qg-栅极电荷 - 7.4nC
栅极电压Vgs - ±20V
典型关闭延迟时间 - 21ns
正向跨导 - 最小值 - 6S
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 UDFN6B DFN2020-8
连续漏极电流Id - 11A
工作温度 - -55°C~150°C
系列 - RF4E110GN
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
下降时间 - 3ns
典型接通延迟时间 - 9ns
库存与单价
库存 0 5
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SSM6K513NU Toshiba  数据手册 功率MOSFET

UDFN6B

暂无价格 0 当前型号
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.7023 

阶梯数 价格
60: ¥2.7023
100: ¥2.1369
300: ¥1.7632
500: ¥1.6866
1,000: ¥1.6291
2,490 对比
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 110 对比
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥5.5573 

阶梯数 价格
1: ¥5.5573
100: ¥3.2121
1,500: ¥2.0365
3,000: ¥1.4724
88 对比
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 5 对比

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