SSM6J501NU 与 SIA437DJ-T1-GE3 区别
| 型号 | SSM6J501NU | SIA437DJ-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SSM6J501NU | A3t-SIA437DJ-T1-GE3 |
| 制造商 | Toshiba | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | UDFN6B | PowerPAK® SC-70-6 |
| 功率耗散Pd | - | 3.5W(Ta),19W(Tc) |
| 连续漏极电流Id | - | 29.7A(Tc) |
| 工作温度 | - | -50°C~150°C |
| 漏源极电压Vds | - | 20V |
| Vgs(最大值) | - | ±8V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 14.5 mOhms @ 8A,4.5V |
| Vgs(th) | - | 900mV @ 250uA |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM6J501NU | Toshiba | 数据手册 | 功率MOSFET |
UDFN6B |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
|
SIA437DJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
29.7A(Tc) P-Channel 14.5 mOhms @ 8A,4.5V 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -50°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
;;6.jpg)
|
RF4C050APTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 10A(Ta) -8V 2W(Ta) 26mΩ@5A,4.5V 150°C(TJ) 8-PowerUDFN |
￥4.9925
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
RF4C050APTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 10A(Ta) -8V 2W(Ta) 26mΩ@5A,4.5V 150°C(TJ) 8-PowerUDFN |
￥2.708
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
RF4C050APTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 10A(Ta) -8V 2W(Ta) 26mΩ@5A,4.5V 150°C(TJ) 8-PowerUDFN |
￥4.9925
|
1,663 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
RF4C050APTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 10A(Ta) -8V 2W(Ta) 26mΩ@5A,4.5V 150°C(TJ) 8-PowerUDFN |
暂无价格 | 150 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
