SSM6J501NU 与 RF4C050APTR 区别
| 型号 | SSM6J501NU | RF4C050APTR | ||||||||
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| 唯样编号 | A-SSM6J501NU | A32-RF4C050APTR-1 | ||||||||
| 制造商 | Toshiba | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 2W(Ta) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | -8V | ||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | UDFN6B | 8-PowerUDFN | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 10A(Ta) | ||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.8V,4.5V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 1mA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5500pF @ 10V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 26mΩ@5A,4.5V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 55nC @ 4.5V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 3,000 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SSM6J501NU | Toshiba | 数据手册 | 功率MOSFET |
UDFN6B |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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SIA437DJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
29.7A(Tc) P-Channel 14.5 mOhms @ 8A,4.5V 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -50°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4C050APTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 10A(Ta) -8V 2W(Ta) 26mΩ@5A,4.5V 150°C(TJ) 8-PowerUDFN |
￥4.9925
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4C050APTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 10A(Ta) -8V 2W(Ta) 26mΩ@5A,4.5V 150°C(TJ) 8-PowerUDFN |
￥2.708
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4C050APTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 10A(Ta) -8V 2W(Ta) 26mΩ@5A,4.5V 150°C(TJ) 8-PowerUDFN |
￥4.9925
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1,663 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4C050APTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 10A(Ta) -8V 2W(Ta) 26mΩ@5A,4.5V 150°C(TJ) 8-PowerUDFN |
暂无价格 | 150 | 对比 |
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