SPW47N60C3 与 SIHG47N60E-GE3 区别
| 型号 | SPW47N60C3 | SIHG47N60E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SPW47N60C3 | A3t-SIHG47N60E-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 600 V 357 W 0.064 O 220 nC Flange Mount Power Mosfet-TO-247AC | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 70mΩ@30A,10V | 64mΩ |
| 漏源极电压Vds | 650V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 415W(Tc) | 357W(Tc) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 320nC @ 10V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | PG-TO247-3 | TO-247-3 |
| 连续漏极电流Id | 47A(Tc) | 47A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | CoolMOS™ | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 9620pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 220nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.9V @ 2.7mA | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SPW47N60C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 650V 47A(Tc) ±20V 415W(Tc) 70mΩ@30A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO247-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SIHG73N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 520W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 N-Channel 600V 73A 39mΩ |
暂无价格 | 136 | 对比 |
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SIHG47N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 357W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 N-Channel 600V 47A 64mΩ |
暂无价格 | 80 | 对比 |
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SIHG47N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 357W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 N-Channel 600V 47A 64mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHG47N65E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 N-Channel 47A 72mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHG47N65E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 N-Channel 47A 72mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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