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SPW24N60C3FKSA1  与  R6024KNZ1C9  区别

型号 SPW24N60C3FKSA1 R6024KNZ1C9
唯样编号 A-SPW24N60C3FKSA1 A33-R6024KNZ1C9
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 24.3A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 240W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 150mΩ
上升时间 - 50ns
Qg-栅极电荷 - 45nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 3V
正向跨导 - 最小值 - 6.5S
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 135nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 24A
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 160 毫欧 @ 15.4A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 12ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 245W
典型关闭延迟时间 - 60ns
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 1.2mA -
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 24.3A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
典型接通延迟时间 - 30ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
库存与单价
库存 0 28
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
8+ :  ¥20.7747
10+ :  ¥20.2093
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPW24N60C3FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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¥7.227 

阶梯数 价格
7: ¥7.227
10: ¥5.555
108 对比
R6024KNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-247-3 24A 245W 150mΩ 600V 3V

暂无价格 60 对比
R6024KNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-247-3 24A 245W 150mΩ 600V 3V

¥20.7747 

阶梯数 价格
8: ¥20.7747
10: ¥20.2093
28 对比
STW26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 20A

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TK17N65W,S1F Toshiba  数据手册 通用MOSFET

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暂无价格 0 对比

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