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SPW11N80C3FKSA1  与  SPP11N80C3  区别

型号 SPW11N80C3FKSA1 SPP11N80C3
唯样编号 A-SPW11N80C3FKSA1 A-SPP11N80C3
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 156W(Tc) -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 450mΩ
上升时间 - 15ns
Qg-栅极电荷 - 64nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 10V
封装/外壳 TO-247-3 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 85nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 11A
配置 - Single
长度 - 10mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 450 毫欧 @ 7.1A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
下降时间 - 10ns
高度 - 15.65mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 156W
典型关闭延迟时间 - 72ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 680uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC3
25°C时电流-连续漏极(Id) 11A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 800V -
典型接通延迟时间 - 25ns
库存与单价
库存 0 500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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SPW11N80C3_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

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SPP11N80C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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