SPP20N60C3 与 SIHP22N60E-GE3 区别
| 型号 | SPP20N60C3 | SIHP22N60E-GE3 | ||||
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| 唯样编号 | A-SPP20N60C3 | A36-SIHP22N60E-GE3 | ||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | E-Series N-Channel 600 V 227 W 0.18 O 86 nC Flange Mount Power Mosfet -TO-220AB | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | 4.4mm | - | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 190mΩ | 180 mOhms @ 11A,10V | ||||
| 上升时间 | 5ns | - | ||||
| Rth | 0.6 K/W | - | ||||
| RthJA max | 62.0 K/W | - | ||||
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA | ||||
| RthJA max | 62.0K/W | - | ||||
| 栅极电压Vgs | 2.1V,3.9V | - | ||||
| 封装/外壳 | TO-220 | TO-220-3 | ||||
| 连续漏极电流Id | 20.7A | 21A(Tc) | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||
| 配置 | Single | - | ||||
| QG (typ @10V) | 87.0 nC | - | ||||
| Ptot max | 156.0W | - | ||||
| 长度 | 10mm | - | ||||
| QG | 87.0nC | - | ||||
| Vgs(最大值) | - | ±30V | ||||
| IDpuls max | 62.1 A | - | ||||
| 下降时间 | 4.5ns | - | ||||
| 高度 | 15.65mm | - | ||||
| Budgetary Price €/1k | 1.89 | - | ||||
| RthJC max | 0.6K/W | - | ||||
| Moisture Level | NA | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 208W | 227W(Tc) | ||||
| 典型关闭延迟时间 | 67ns | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| Mounting | THT | - | ||||
| RthJC max | 0.6 K/W | - | ||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||
| 系列 | CoolMOSC3 | - | ||||
| Ptot max | 156.0 W | - | ||||
| 典型接通延迟时间 | 10ns | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 118 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SPP20N60C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
208W TO-220 20.7A N-Channel 600V 2.1V,3.9V 190mΩ -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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SIHP22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 11A,10V 227W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
￥6.842
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118 | 对比 |
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