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SPP20N60C3XKSA1  与  SPP20N60C3  区别

型号 SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3
唯样编号 A-SPP20N60C3XKSA1 A-SPP20N60C3
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 208W(Tc) -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 190mΩ
上升时间 - 5ns
Rth - 0.6 K/W
RthJA max - 62.0 K/W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V -
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.1V,3.9V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 114nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 20.7A
配置 - Single
QG (typ @10V) - 87.0 nC
Ptot max - 156.0W
长度 - 10mm
QG - 87.0nC
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 13.1A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
IDpuls max - 62.1 A
下降时间 - 4.5ns
高度 - 15.65mm
Budgetary Price €€/1k - 1.89
RthJC max - 0.6K/W
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Moisture Level - NA
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 208W
典型关闭延迟时间 - 67ns
FET类型 N 通道 N-Channel
Mounting - THT
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 1mA -
RthJC max - 0.6 K/W
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC3
Ptot max - 156.0 W
25°C时电流-连续漏极(Id) 20.7A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
典型接通延迟时间 - 10ns
库存与单价
库存 0 500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPP20N60C3XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP20N60C3_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STP24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 100,000 对比
STP24N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 150W(Tc) 200mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 N-Channel 600V 18A

暂无价格 2,000 对比
SPP20N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP20N60C3HKSA1_208W TO-220 20.7A N-Channel 600V 2.1V,3.9V 190mΩ -55°C~150°C

暂无价格 500 对比
STP24N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 150W(Tc) 200mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 N-Channel 600V 18A

¥5.742 

阶梯数 价格
9: ¥5.742
100: ¥4.587
396 对比
STP24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

¥6.336 

阶梯数 价格
8: ¥6.336
100: ¥5.071
230 对比

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