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SPP07N60C3  与  SIHP7N60E  区别

型号 SPP07N60C3 SIHP7N60E
唯样编号 A-SPP07N60C3 A3t-SIHP7N60E
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 未分类
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ -
上升时间 3.5ns -
RthJA max 62.0K/W -
栅极电压Vgs 2.1V,3.9V -
封装/外壳 TO-220 -
连续漏极电流Id 7.3A -
工作温度 -55°C~150°C -
配置 Single -
QG (typ @10V) 21.0 nC -
Ptot max 83.0W -
长度 10mm -
下降时间 7ns -
高度 15.65mm -
Budgetary Price €€/1k 0.71 -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 83W -
典型关闭延迟时间 60ns -
FET类型 N-Channel -
Mounting THT -
RthJC max 1.5 K/W -
通道数量 1Channel -
系列 CoolMOSC3 -
典型接通延迟时间 6ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPP07N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

83W 600mΩ 600V 7.3A TO-220 N-Channel 2.1V,3.9V -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
IRFB9N65APBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.5A(Tc) N-Channel 930 mOhms @ 5.1A,10V 167W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 650V

暂无价格 0 对比
SIHP7N60E Vishay 未分类

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