SPP07N60C3 与 IRFB9N65APBF 区别
| 型号 | SPP07N60C3 | IRFB9N65APBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SPP07N60C3 | A3t-IRFB9N65APBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 650 V 0.93 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 4.4mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 600mΩ | 930 mOhms @ 5.1A,10V |
| 上升时间 | 3.5ns | - |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| RthJA max | 62.0K/W | - |
| 栅极电压Vgs | 2.1V,3.9V | - |
| 封装/外壳 | TO-220 | TO-220-3 |
| 连续漏极电流Id | 7.3A | 8.5A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 配置 | Single | - |
| QG (typ @10V) | 21.0 nC | - |
| Ptot max | 83.0W | - |
| 长度 | 10mm | - |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| 下降时间 | 7ns | - |
| 高度 | 15.65mm | - |
| Budgetary Price €/1k | 0.71 | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | 650V |
| Pd-功率耗散(Max) | 83W | 167W(Tc) |
| 典型关闭延迟时间 | 60ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| Mounting | THT | - |
| RthJC max | 1.5 K/W | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 系列 | CoolMOSC3 | - |
| 典型接通延迟时间 | 6ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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