首页 > 商品目录 > > > > SPP07N60C3XKSA1代替型号比较

SPP07N60C3XKSA1  与  SPP07N65C3  区别

型号 SPP07N60C3XKSA1 SPP07N65C3
唯样编号 A-SPP07N60C3XKSA1 A-SPP07N65C3
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 83W(Tc) -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 600mΩ
上升时间 - 3.5ns
Rth - 1.5K/W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 790pF @ 25V -
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.1V,3.9V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 7.3A
配置 - Single
Ptot max - 83.0W
长度 - 10mm
QG - 21.0nC
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 4.6A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
下降时间 - 7ns
高度 - 15.65mm
Budgetary Price €€/1k - 0.83
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 83W
Mode - Enhancement
典型关闭延迟时间 - 60ns
FET类型 N 通道 N-Channel
Mounting - THT
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 350uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC3
25°C时电流-连续漏极(Id) 7.3A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
典型接通延迟时间 - 6ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPP07N60C3XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP07N60C3_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
FCP11N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3 TO-220AB

暂无价格 0 对比
AOT11C60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
AOT7S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
SPP07N65C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP07N65C3XKSA1_10mm TO-220

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售