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SPD30P06PGBTMA1  与  ZXMP6A16KTC  区别

型号 SPD30P06PGBTMA1 ZXMP6A16KTC
唯样编号 A-SPD30P06PGBTMA1 A36-ZXMP6A16KTC
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2.11W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 85mΩ@2.9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1535pF @ 25V 1021 pF @ 30 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 24.2 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 1.7mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 5.4A(Ta)
驱动电压 - 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 75 毫欧 @ 21.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 4,603
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.542
100+ :  ¥2.959
1,250+ :  ¥2.684
2,500+ :  ¥2.486
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPD30P06PGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD30P06P G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
ZXMP6A16KTC Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥3.542 

阶梯数 价格
20: ¥3.542
100: ¥2.959
1,250: ¥2.684
2,500: ¥2.486
4,603 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 4,000 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 2,000 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥7.6564 

阶梯数 价格
20: ¥7.6564
50: ¥5.8836
100: ¥5.2991
500: ¥4.8967
1,000: ¥4.82
1,784 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥2.783 

阶梯数 价格
20: ¥2.783
31 对比

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