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SPD30P06PGBTMA1  与  IRFR5305TRPBF  区别

型号 SPD30P06PGBTMA1 IRFR5305TRPBF
唯样编号 A-SPD30P06PGBTMA1 A36-IRFR5305TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 65mΩ@16A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 110W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1535pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 1.7mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 31A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 25V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 75 毫欧 @ 21.5A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 5,970
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥2.871
100+ :  ¥2.211
1,000+ :  ¥1.925
2,000+ :  ¥1.815
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50: ¥5.8836
100: ¥5.2991
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