尊敬的客户:五一劳动节5-1至5-4我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > SPD08P06PGBTMA1代替型号比较

SPD08P06PGBTMA1  与  DMP6185SK3-13  区别

型号 SPD08P06PGBTMA1 DMP6185SK3-13
唯样编号 A-SPD08P06PGBTMA1 A-DMP6185SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3 MOSFET P-CH 60V 9.4A TO252
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 42W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 1.6W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 150mΩ@12A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 420pF @ 25V 708 pF @ 30 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 14 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 9.4A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 300 毫欧 @ 10A,6.2V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 8.83A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6.2V -
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPD08P06PGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD08P06P G_P 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
DMP6185SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.6W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 9.4A(Tc)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售