SPD07N60C3 与 SIHD7N60E-GE3 区别
| 型号 | SPD07N60C3 | SIHD7N60E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SPD07N60C3 | A-SIHD7N60E-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | E-Series N-Channel 600 V 78 W 600 mO 40 nC Surface Mount Power MOSFET - DPAK-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 6.22mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 540mΩ | 600 mOhms @ 3.5A,10V |
| 上升时间 | 3.5ns | - |
| Rth | 1.5K/W | - |
| RthJA max | 75.0 K/W | - |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| RthJA max | 75.0K/W | - |
| 栅极电压Vgs | 2.1V,3.9V | - |
| 封装/外壳 | DPAK (TO-252) | TO-252 |
| 连续漏极电流Id | 7.3A | 7A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 配置 | Single | - |
| QG (typ @10V) | 21.0 nC | - |
| Ptot max | 83.0W | - |
| 长度 | 6.5mm | - |
| QG | 21.0 nC | - |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| IDpuls max | 21.9 A | - |
| 下降时间 | 7ns | - |
| 高度 | 2.3mm | - |
| Budgetary Price €/1k | 0.7 | - |
| RthJC max | 1.5K/W | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 83W | 78W(Tc) |
| 典型关闭延迟时间 | 60ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| Mounting | SMT | - |
| RthJC max | 1.5 K/W | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 系列 | CoolMOSC3 | - |
| Ptot max | 83.0 W | - |
| 典型接通延迟时间 | 6ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 35 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPD07N60C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
83W DPAK (TO-252) 7.3A N-Channel 600V 2.1V,3.9V 540mΩ -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIHD7N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
7A(Tc) N-Channel 600 mOhms @ 3.5A,10V 78W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 35 | 对比 |
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