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SPD04N50C3ATMA1  与  IPD50R950CE  区别

型号 SPD04N50C3ATMA1 IPD50R950CE
唯样编号 A-SPD04N50C3ATMA1 A-IPD50R950CE
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 4.5A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 50W(Tc) -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 950mΩ
上升时间 - 4.9ns
Qg-栅极电荷 - 10.5nC
Rth - 3.7K/W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 470pF @ 25V -
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.5V,3.5V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK (TO-252)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 4.3A
配置 - Single
Ptot max - 34.0W
长度 - 6.5mm
QG - 10.5nC
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 950 毫欧 @ 2.8A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
下降时间 - 19.5ns
高度 - 2.3mm
Budgetary Price €€/1k - 0.27
RthJC max - 3.7K/W
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Moisture Level - 3
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 53W
典型关闭延迟时间 - 25ns
FET类型 N 通道 N-Channel
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - SMT
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 200uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - XPD50R950
25°C时电流-连续漏极(Id) 4.5A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 500V -
典型接通延迟时间 - 7ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPD04N50C3ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD04N50C3_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
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