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SPB21N50C3ATMA1  与  R6024ENJTL  区别

型号 SPB21N50C3ATMA1 R6024ENJTL
唯样编号 A-SPB21N50C3ATMA1 A-R6024ENJTL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 208W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 150mΩ
上升时间 - 50ns
Qg-栅极电荷 - 70nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 2V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 95nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 24A
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 13.1A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 50ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1650pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 245W
典型关闭延迟时间 - 180ns
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 1mA -
系列 - SuperJunction-MOSEN
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 21A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 560V -
典型接通延迟时间 - 35ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 70nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPB21N50C3ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB21N50C3_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
R6024ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥79.6202 

阶梯数 价格
2: ¥79.6202
10: ¥24.004
50: ¥19.8835
100: ¥19.0594
500: ¥18.4462
990 对比
R6024ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

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TO-263-3

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TO-263-3

暂无价格 0 对比
R6024ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

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