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SPB11N60C3ATMA1  与  R6011KNJTL  区别

型号 SPB11N60C3ATMA1 R6011KNJTL
唯样编号 A-SPB11N60C3ATMA1 A33-R6011KNJTL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 390mΩ@3.8A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 124W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 500uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 7A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 11A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 650V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 740pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥14.824
50+ :  ¥13.1088
100+ :  ¥11.681
500+ :  ¥11.6618
1,000+ :  ¥11.6331
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥14.824 

阶梯数 价格
20: ¥14.824
50: ¥13.1088
100: ¥11.681
500: ¥11.6618
1,000: ¥11.6331
1,000 对比
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