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SPB11N60C3ATMA1  与  STB11NM60T4  区别

型号 SPB11N60C3ATMA1 STB11NM60T4
唯样编号 A-SPB11N60C3ATMA1 A-STB11NM60T4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3 MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
数据表
RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 500uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 7A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 11A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPB11N60C3ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB11N60C3_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
R6011KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥14.824 

阶梯数 价格
20: ¥14.824
50: ¥13.1088
100: ¥11.681
500: ¥11.6618
1,000: ¥11.6331
1,000 对比
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