SPA15N60C3 与 SIHA15N60E-E3 区别
| 型号 | SPA15N60C3 | SIHA15N60E-E3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SPA15N60C3 | A3t-SIHA15N60E-E3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 600 V 34 W 38 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.7mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 280mΩ@9.4A,10V | 280mΩ |
| 上升时间 | - | 51ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 38nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 4V |
| 封装/外壳 | TO-220FP | TO-220FP-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 15A | 15A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10.41mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 下降时间 | - | 33ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.9V @ 675µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1660pF @ 25V | - |
| 高度 | - | 15.49mm |
| 漏源极电压Vds | 600V | 650V |
| Pd-功率耗散(Max) | 34W(Tc) | 34W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 35ns |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 系列 | CoolMOS™ | E |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1350pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 76nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | - | 17ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 63nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPA15N60C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 34W(Tc) 280mΩ@9.4A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 15A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SIHA15N60E-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 15A 34W 280mΩ 650V 4V TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHA15N60E-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 15A 34W 280mΩ 650V 4V TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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