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SPA15N60C3XKSA1  与  FCPF260N60E  区别

型号 SPA15N60C3XKSA1 FCPF260N60E
唯样编号 A-SPA15N60C3XKSA1 A-FCPF260N60E
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 34W(Tc) -
功率 - 36W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 260 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220FP
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 675uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 15A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 280 毫欧 @ 9.4A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 15A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 650V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2500pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 62nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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