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SPA11N80C3XKSA1  与  R6009KNX  区别

型号 SPA11N80C3XKSA1 R6009KNX
唯样编号 A-SPA11N80C3XKSA1 A3-R6009KNX
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 34W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 535mΩ@2.8A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 48W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 680uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 85nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 9A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 450 毫欧 @ 7.1A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 11A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 800V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 540pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 16.5nC @ 10V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPA11N80C3XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA11N80C3_TO-220-3整包

暂无价格 0 当前型号
STF13N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

¥10.494 

阶梯数 价格
5: ¥10.494
100: ¥8.888
1,000: ¥8.47
19,850 对比
R6009KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥10.0424 

阶梯数 价格
20: ¥10.0424
50: ¥8.8829
100: ¥7.9151
400 对比
R8010ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3 15.4mm

¥31.8328 

阶梯数 价格
5: ¥31.8328
10: ¥26.6966
50: ¥23.6111
100: ¥21.0334
125 对比
R6009KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 100 对比
R8010ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3 15.4mm

暂无价格 100 对比

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