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SPA08N80C3XKSA1  与  R6007ENX  区别

型号 SPA08N80C3XKSA1 R6007ENX
唯样编号 A-SPA08N80C3XKSA1 A33-R6007ENX-0
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 8A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 40W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 620mΩ@2.4A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 40W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 470uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 7A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 650 毫欧 @ 5.1A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 8A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 800V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 390pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
库存与单价
库存 0 212
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥5.05
50+ :  ¥4.9542
100+ :  ¥4.8583
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暂无价格 0 当前型号
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阶梯数 价格
20: ¥10.2724
50: ¥9.4962
100: ¥9.0267
500: ¥8.4134
990 对比
R6007ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥5.05 

阶梯数 价格
30: ¥5.05
50: ¥4.9542
100: ¥4.8583
212 对比
R6007JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

暂无价格 50 对比
R6007JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

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阶梯数 价格
1: ¥7.278
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50: ¥6.2396
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