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SPA07N60C3XKSA1  与  STP10NK60ZFP  区别

型号 SPA07N60C3XKSA1 STP10NK60ZFP
唯样编号 A-SPA07N60C3XKSA1 A36-STP10NK60ZFP
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP N-Channel 600 V 0.75 Ohm Flange Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 32W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 750mΩ@4.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 35W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 790pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220FP
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 10A
系列 - SuperMESH™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1370pF @ 25V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 4.6A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 70nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 7.3A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 2,118
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥2.607
50+ :  ¥2.002
1,000+ :  ¥1.683
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