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SPA04N80C3XKSA1  与  AOTF8N80  区别

型号 SPA04N80C3XKSA1 AOTF8N80
唯样编号 A-SPA04N80C3XKSA1 A36-AOTF8N80
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 4A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 11
功率耗散(最大值) 38W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1630mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 9.1
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 570pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 30V
Td(on)(ns) - 35
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220F
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 7.4A
Ciss(pF) - 1375
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.3 欧姆 @ 2.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 484
Td(off)(ns) - 69
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 50W
Qrr(nC) - 6000
VGS(th) - 4.5
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 240uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 4A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 800V -
Coss(pF) - 101
Qg*(nC) - 26
库存与单价
库存 0 440
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
5+ :  ¥12.32
100+ :  ¥10.439
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPA04N80C3XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA04N80C3_TO-220-3整包

暂无价格 0 当前型号
STP8NK80ZFP STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

¥4.697 

阶梯数 价格
20: ¥4.697
100: ¥3.751
1,000: ¥3.476
1,450 对比
R8008ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 500 对比
AOTF8N80 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F

¥12.32 

阶梯数 价格
5: ¥12.32
100: ¥10.439
440 对比
R8008ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥39.7313 

阶梯数 价格
1: ¥39.7313
100: ¥22.9647
500: ¥14.5596
100 对比
R6004JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

暂无价格 100 对比

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