首页 > 商品目录 > > > > SPA04N80C3XKSA1代替型号比较

SPA04N80C3XKSA1  与  R8008ANX  区别

型号 SPA04N80C3XKSA1 R8008ANX
唯样编号 A-SPA04N80C3XKSA1 A-R8008ANX
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 4A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 38W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.03Ω@4A,10V
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 50W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 570pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 240uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 8A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.3 欧姆 @ 2.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 4A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 800V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1080pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 10V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥39.7313
100+ :  ¥22.9647
500+ :  ¥14.5596
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPA04N80C3XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA04N80C3_TO-220-3整包

暂无价格 0 当前型号
STP8NK80ZFP STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

¥4.697 

阶梯数 价格
20: ¥4.697
100: ¥3.751
1,000: ¥3.476
1,450 对比
R8008ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 500 对比
AOTF8N80 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F

¥12.32 

阶梯数 价格
5: ¥12.32
100: ¥10.439
440 对比
R8008ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥39.7313 

阶梯数 价格
1: ¥39.7313
100: ¥22.9647
500: ¥14.5596
100 对比
R6004JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

暂无价格 100 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售