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SN7002WH6327XTSA1  与  DMN67D8LW-13  区别

型号 SN7002WH6327XTSA1 DMN67D8LW-13
唯样编号 A-SN7002WH6327XTSA1 A36-DMN67D8LW-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3 MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 320mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 5Ω@500mA,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 45pF @ 25V 22 pF @ 25 V
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 0.82 nC @ 10 V
封装/外壳 SC-70,SOT-323 SOT-323
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 26uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 240mA(Ta)
驱动电压 - 5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5 欧姆 @ 230mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 230mA(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 188
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
170+ :  ¥0.2977
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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