SISS26DN-T1-GE3 与 BSZ042N06NS 区别
| 型号 | SISS26DN-T1-GE3 | BSZ042N06NS |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SISS26DN-T1-GE3 | A-BSZ042N06NS |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S | 系列:OptiMOS™ |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 上升时间 | - | 7ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 27nC |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 27S |
| 封装/外壳 | PowerPAK®1212-8S | TSDSON-8-FL |
| 连续漏极电流Id | 60A(Tc) | 40A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 配置 | - | SingleQuadDrainTripleSource |
| 长度 | - | 3.3mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | - |
| 下降时间 | - | 6ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.6V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1710pF | - |
| 导通电阻Rds(On) | 4.5mΩ@15A,10V | 4.2mΩ@20A,10V |
| 高度 | - | 1.10mm |
| 功率耗散Pd | 57W(Tc) | 69W |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 19ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 30V | - |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | OptiMOS™ |
| 典型接通延迟时间 | - | 10ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 37nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SISS26DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V 60A(Tc) ±20V 57W(Tc) 4.5mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK®1212-8S |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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BSZ042N06NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 40A 4.2mΩ@20A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C TSDSON-8-FL |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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