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SIS606BDN-T1-GE3  与  RH6P040BHTB1  区别

型号 SIS606BDN-T1-GE3 RH6P040BHTB1
唯样编号 A-SIS606BDN-T1-GE3 A3-RH6P040BHTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14.5mΩ 15.6mΩ@40A,10V
上升时间 5ns -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 52W 59W
Qg-栅极电荷 20nC -
栅极电压Vgs 2V ±20V
典型关闭延迟时间 19ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PowerPAK-1212-8 HSMT8
连续漏极电流Id 35.3A 40A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
系列 SIS -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
下降时间 5ns -
典型接通延迟时间 12ns -
库存与单价
库存 0 130
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIS606BDN-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

35.3A 52W 14.5mΩ 100V 2V PowerPAK-1212-8 -55°C~150°C N-Channel

暂无价格 0 当前型号
RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40A 100V HSMT8 59W ±20V 15.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C

暂无价格 130 对比
RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40A 100V HSMT8 59W ±20V 15.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C

¥10.1103 

阶梯数 价格
1: ¥10.1103
100: ¥5.0552
100 对比
RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40A 100V HSMT8 59W ±20V 15.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C

暂无价格 18 对比

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