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SIRA12DP-T1-GE3  与  CSD17577Q5A  区别

型号 SIRA12DP-T1-GE3 CSD17577Q5A
唯样编号 A-SIRA12DP-T1-GE3 A36-CSD17577Q5A
制造商 Vishay TI
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 未分类
描述 表面贴装型 N 通道 30 V 60A(Ta) 3W(Ta),53W(Tc) 8-VSONP(5x6)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 5.15mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.2mΩ -
上升时间 10ns -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 31W -
Qg-栅极电荷 45nC -
栅极电压Vgs 1.1V -
典型关闭延迟时间 25ns -
正向跨导 - 最小值 51S -
封装/外壳 PowerPAK-SO-8 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 60A -
工作温度 -55°C~150°C -
系列 SIR -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
长度 6.15mm -
下降时间 10ns -
典型接通延迟时间 10ns -
高度 1.04mm -
库存与单价
库存 0 804
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.233
100+ :  ¥1.727
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIRA12DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

60A 31W 3.2mΩ 30V 1.1V PowerPAK-SO-8 -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
CSD17577Q5A TI  数据手册 未分类

¥2.233 

阶梯数 价格
30: ¥2.233
100: ¥1.727
804 对比
FDMS8692 ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
FDMS7692A ON Semiconductor 通用MOSFET

2.5W(Ta),27W(Tc) 8m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) Power 13.5A N-Channel 30V 13.5A(Ta),28A(Tc) ±20V 8 毫欧 @ 13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比

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