SIRA00DP-T1-GE3 与 BSC0902NS 区别
| 型号 | SIRA00DP-T1-GE3 | BSC0902NS |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIRA00DP-T1-GE3 | A-BSC0902NS |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 30 V 4 mOhm SMT TrenchFET Gen IV Power Mosfet - PowerPAK SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.15mm |
| 上升时间 | - | 5.2ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 35nC |
| 栅极电压Vgs | +20V,-16V | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 55S |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | PG-TDSON-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 60A | 100A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 5.9mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 3.6ns |
| 导通电阻Rds(On) | 1mΩ | 2.2mΩ |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1700pF @ 15V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.2V @ 250µA |
| 高度 | - | 1.27mm |
| 功率耗散Pd | 6.25W(Ta),104W(Tc) | 48W |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 21ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.2V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 11700pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 220nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 4.2ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 26nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIRA00DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
+20V,-16V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 60A 1mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
BSC011N03LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 30V 100A 1.1mΩ@30A,10V 10V 96W N-Channel 8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFH5250TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.6W(Ta),160W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 1.15mΩ@50A,10V N-Channel 25V 45A PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
BSC0902NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 100A 2.2mΩ 20V 48W N-Channel 30V PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
BSC010NE2LSI | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
25V 100A 1.05mΩ 10V 96W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFH5302TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.6W(Ta),100W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 2.1mΩ@50A,10V N-Channel 30V 32A PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
