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SIR880ADP-T1-GE3  与  RS6N120BHTB1  区别

型号 SIR880ADP-T1-GE3 RS6N120BHTB1
唯样编号 A-SIR880ADP-T1-GE3 A-RS6N120BHTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 80 V 8.9 mOhm 24 nC 83 W SMT Mosfet - PowerPAK SO-8 Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.3mΩ 3.3m Ohms
漏源极电压Vds 3V 80V
Pd-功率耗散(Max) 5.4W(Ta),83W(Tc) 104W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOIC-8 HSOP8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 60A ±135A
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2289pF @ 40V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 72nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR880ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 5.4W(Ta),83W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 6.3mΩ 3V

暂无价格 0 当前型号
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

暂无价格 130 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

¥14.642 

阶梯数 价格
20: ¥14.642
50: ¥10.1095
50 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

暂无价格 0 对比

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