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SIR826LDP-T1-RE3  与  RS6N120BHTB1  区别

型号 SIR826LDP-T1-RE3 RS6N120BHTB1
唯样编号 A-SIR826LDP-T1-RE3 A3-RS6N120BHTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 HSOP8
连续漏极电流Id 21.3A(Ta),86A(Tc) ±135A
工作温度 -55℃~150℃ -
Rds On(Max)@Id,Vgs 5 mOhms @ 15A,10V 3.3m Ohms
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 5W(Ta),83W(Tc) 104W
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 2.4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 60 130
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR826LDP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

21.3A(Ta),86A(Tc) N-Channel 5 mOhms @ 15A,10V 5W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 80V

暂无价格 60 当前型号
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

暂无价格 130 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

¥14.642 

阶梯数 价格
20: ¥14.642
50: ¥10.1095
50 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

暂无价格 0 对比

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