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SIR664DP-T1-GE3  与  NTMFS5C670NLT1G  区别

型号 SIR664DP-T1-GE3 NTMFS5C670NLT1G
唯样编号 A-SIR664DP-T1-GE3 A36-NTMFS5C670NLT1G
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ -
上升时间 12ns -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 50W -
Qg-栅极电荷 26nC -
栅极电压Vgs 1.3V -
典型关闭延迟时间 24ns -
正向跨导 - 最小值 70S -
封装/外壳 PowerPAK-SO-8 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
连续漏极电流Id 60A -
工作温度 -55°C~150°C -
系列 SIR -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
下降时间 7ns -
典型接通延迟时间 10ns -
库存与单价
库存 0 6
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR664DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

60A 50W 6mΩ 60V 1.3V PowerPAK-SO-8 -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
CSD18563Q5A TI  数据手册 未分类

¥4.4 

阶梯数 价格
20: ¥4.4
100: ¥3.663
1,250: ¥3.333
2,143 对比
NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

暂无价格 6 对比
NTMFS5C670NLT1GOSCT ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

暂无价格 0 对比
NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

暂无价格 0 对比

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